高感光度标准G线正型光刻胶（High Sensitivity Stard g-line Positive-tone Photoresist）
为广泛应用于半导体制造领域而优化的高感光度G线正型光刻胶
High sensitivity broad-b,g-line positive-tone photoresist,optimized for wide production of semiconductor
特 征（FEATURES）
1) 高感光度,高产出率
2) 高附着性,特别为湿法刻蚀工艺改进
3) 广泛应用于全球半导体行业
参考工艺条件（SAMPLE PROCESS CONDITIONS）
前烘 ：100℃ 60秒 (DHP)
曝光 ：G线步进式曝光机/接触式曝光机
显影 ：AZ300MIF (2.38%) 23℃ 60秒 Puddle
清洗 ：去离子水30秒
后烘 ：120℃ 120秒 (DHP)
剥离 ：AZ剥离液及/或氧等离子体灰化
Product Name： AZ1500
Viscosity： 4.4mPa 20mPa 38mPa 90mPa
深圳市芯泰科光电有限公司:光电材料、微电子材料、电子元器件、半导体产品、LED...
主要客户群体：三安光电、中国中材、中谷光电、圆融光电、映瑞光电、奥伦德、中图光电、太时芯光、新广联、北方华创、量晶、享通、SINOEPI、华磊、上城、蓝晶、普吉、神光安瑞、迪源、华灿、京晶、蓝光、亁照、汉莱、士兰微北京大学、清华大学、中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所、中山大学、西安交大、南京大学、深圳大学先进院等大学研究所.
许总 15220133370 QQ:332767299 0755-28190294
主要产品范围 ：
1、液晶面板(TFT)正型光刻胶
2、触摸屏（Touch Panl）正型光刻胶 超黑矩阵(BM)黑胶 OC光刻胶 卷对卷（Roll to Roll）工艺光刻胶 柔性性路板光刻胶 FPC工艺用正胶
3、倒装(Bumping)工艺光刻胶：适用于电镀铜(ECP)工艺 凸点下金属（UBM）工艺；重布线层（RDL）工艺；影像感测器封装(Copper/Au Piller bump)工艺光
4、LED行业：台阶刻蚀（MESA）工艺正胶 蒸镀（Lift-off）工艺负胶 透明电极（TCL）工艺正胶 电流阻挡层（BCL）工艺正胶 钝化层（PV）工艺正胶 高压芯芯片（HV）工艺正胶。
5、手机盖板行业：3D喷涂曝光型光阻油墨（黑白色） 喷涂曝光纹理光阻油墨 喷涂曝光抗氢氟酸光阻油墨 水性防爆胶 喷涂防爆膜 变色光阻油墨；
6、铜制程工艺：铜制程表面处理剂 铜腐蚀液 不伤金属（Ni,Al,Au,Ag等）去胶液
7、其它配套试剂：高纯低杂质显影液 不伤金属（Ni,Al,Au,Ag等）去胶液, 不伤金属（Ni,Al,Au,Ag等）去腊液 洗边剂(EBR) 不伤铝二氧化硅腐蚀液(BOE) 光刻胶稀释剂 氧化铟锡(ITO)腐蚀液 SiO2抛光液 钻石抛光液 SiO2抛光清洗剂（不伤铝）；
8、其它配件：MOCVD外延设备配件（石英配件 钨钼配件 加热器 周边设备配套）；刻蚀机和蒸发台等设备配件；
9、生产制程辅助工具和材料：Tray盘 花篮 膜 针等
深圳市芯泰科光电有限公司:光电材料、微电子材料、电子元器件、半导体产品、LED
主要客户群体：三安光电、中国中材、中谷光电、圆融光电、映瑞光电、奥伦德、中图光电、太时芯光、新广联、北方华创、量晶、享通、SINOEPI、华磊、上城、蓝晶、普吉、神光安瑞、迪源、华灿、京晶、蓝光、亁照、汉莱、士兰微北京大学、清华大学、中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所、中山大学、西安交大、南京大学、深圳大学先进院等大学研究...
为阴极隔离而研发的负型光刻胶，它可以实现稳定的倒三角轮廓，并 拥有很好的热稳定性和工艺窗口。使用安全溶剂PGMEA
由于高感光度和高残膜率实现高产出率工艺窗口很宽
物理特性优异，可当作残留材料...
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