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大学耐高温蒸镀底切形状负胶AZ 5214E

发布日期:2026/5/14 16:41:45

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AZ  5200E 系列光刻胶                         许总 1522013337零
应用于Lift-off工艺图形反转正/负可转换型光刻胶( Image Reversal Pattern Posi/Nega Convertible Photoresist)
高解像度图形反转正/负可改变型光刻胶,特别为lift-off工艺优化
 Image reversal pattern positive/negative-tone photoresist,optimized for lift-off process
特 征(FEATURES)
1) 适用于高分辨率工艺(lift-off工艺)
 2) 适用于正/负图形                                                        许总 1522013337零
3) 很宽的膜厚范围
参考工艺条件(SAMPLE PROCESS CONDITIONS)
前烘           :100℃ 60秒 (DHP)
曝光           :I线步进式曝光机/接触式曝光机
反转烘烤     :110~125℃ 90秒 (DHP):去离子水30秒
全面曝光     :310~405nm
                   (在曝光光源下全面照射)
显影           :AZ300MIF (2.38%) 23℃ 30~60秒Puddle
                 :AZ Developer(1:1)23℃ 60秒Dipping
                 :AZ400K(1:4)23℃ 60秒Dipping
清洗           :去离子水30秒
后烘           :120℃ 120秒 (DHP)
剥离           :AZ剥离液及/或氧等离子体灰化

产品型号(PRODUCT RANGE)
Product Name:            AZ5214E AZ5218E AZ5206E AZ5200NJ
Viscosity:                        7mPa       25mPa     40mPa   85mPa
深圳市芯泰科光电有限公司:光电材料、微电子材料、电子元器件、半导体产品、LED...
主要客户群体:三安光电、中国中材、中谷光电、圆融光电、映瑞光电、奥伦德、中图光电、太时芯光、新广联、北方华创、量晶、享通、SINOEPI、华磊、上城、蓝晶、普吉、神光安瑞、迪源、华灿、京晶、蓝光、亁照、汉莱、士兰微北京大学、清华大学、中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所、中山大学、西安交大、南京大学、深圳大学先进院等大学研究所.
许总 15220133370 QQ:332767299 0755-28190294