发布日期：2026/5/29 17:15:48
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NR9-3000PY lift-off负胶
专门用于2–6μm 中厚金属电极的剥离（lift-off）工艺
NR9-3000PY 是适用于 365nm 紫外曝光的中厚膜负性光刻胶，专为金属剥离（lift-off）工艺设计，显影后可形成负倾斜侧壁，且底切程度可通过曝光剂量灵活调节，具备高分辨率、快显影、耐高温（100℃）、易去除等特点，室温下保质期长达 3 年。该光刻胶广泛应用于 SiC/GaN 功率器件、中厚金属电极、MEMS、传感器、射频 / 光电器件 等领域，尤其适合需要中厚膜、高精度、无毛刺金属电极的剥离加工场景。
一、核心应用场景
1. 中厚膜金属剥离（匹配、核心）
中厚层 Ti/Au、Ni/Au、Al、Pd、Pt 等电极剥离 许总：15220133370
大功率器件、射频器件、传感器厚电极图形化
要求边缘垂直、无毛刺、无粘连、无残胶
2. SiC / GaN 第三代半导体器件
4H?SiC、GaN 器件源漏厚电极、栅电极、场板、欧姆接触
功率器件、HEMT、MESFET 等中厚金属电极剥离
高精度、大高度电极图形加工
3. MEMS、微机械、光电器件
压电、惯性、声学、压力传感器厚金属电极
微线圈、微加热器、互连线、反射镜电极
膜厚均匀、侧壁可控、剥离成功率高
4. 射频 / 微波器件电极
射频器件、微波传输线、厚电极布线
要求低损耗、高平整度、边缘干净的金属图形
5. 玻璃 / 陶瓷 / 低热导基板剥离
玻璃、陶瓷封装基板、光电器件基底
玻璃基板：烘烤时间 ×3.5
涂覆均匀、无条纹、附着稳定
6. 实验室中厚膜剥离工艺
科研样品稳定、高成功率剥离
底切（undercut）可通过曝光量自由调节
室温保存 3 年，使用方便、无需冷藏
二、使用 NR9-3000PY 的情况
做 中厚膜金属剥离 lift-off
需要 2–6μm 中等膜厚
要求负倾斜侧壁、底切可调
希望剥离干净、无毛刺、不挂边
工艺温度 100℃
365nm 光刻机通用
显影快、去胶容易
一、产品定位与描述
NR9-3000PY 是面向中薄层图形化、专为金属剥离（lift-off）设计的负性光刻胶，适配365nm紫外曝光设备（步进机、扫描投影光刻机、接近式 / 接触式光刻机）。
显影后形成负倾斜侧壁，便于金属剥离
配方与工艺兼顾职业安全与环保
主溶剂：环己酮（cyclohexanone）
显影体系：碱性水溶液（RD6）
二、核心优势
负倾斜侧壁：显影后轮廓呈负倾斜，显著提升剥离效果
底切可调：可通过曝光能量灵活控制 undercut 程度
分辨率优异：满足精细图形加工需求
显影速度快：制程效率高
耐高温：可承受 100℃ 工艺温度
去胶便捷：可用 RR4（110℃）或丙酮去除
超长保质期：25℃室温可存放 3 年
三、关键理化参数
外观：浅黄色液体
固含量：31%–35%
涂覆性：非常均匀、无条纹
感光度（365nm）：190mJ/cm2·μm
保质期：25℃室温存储 3 年
四、膜厚与旋涂参数（150℃软烘 60s 后）
表格
旋涂转速 (rpm) 旋涂时间 (s) 膜厚范围 (nm)
800 40 5700–6300
3000 40 2850–3150
4000 40 2460–2720
5000 40 2140–2326
五、标准工艺流程
旋涂涂胶：目标转速旋涂40s
除边珠：使用EBR2处理晶圆上下边缘
软烘：150℃热板烘烤 60s
365nm 紫外曝光
曝光后烘烤：100℃热板烘烤 60s
显影：RD6 显影液喷淋 / 浸泡；3μm 膜厚显影约 17s
冲洗：去离子水冲洗至电阻率达标
干燥
去胶：RR4（110℃） 或 丙酮
六、基板适配要求
良导热基板（硅、GaAs）：按标准参数执行
低热导基板（玻璃）：烘烤时间延长 3.5 倍
七、安全注意事项
本品为易燃液体，远离热源、火花、明火
操作环境需充分通风
禁止吞食，避免接触皮肤、蒸气、雾滴
佩戴化学护目镜、橡胶手套及防护衣
4. 关键问题与答案
NR9-3000PY 核心的设计特点是什么？
答：核心特点是显影后形成负倾斜侧壁，且底切程度可通过曝光剂量调节，专为 金属剥离（lift-off） 工艺优化。
NR9-3000PY 的膜厚范围、典型显影时间与去胶方式是什么？
答：膜厚范围2140–6300nm；3μm 膜厚显影时间约17s；去胶可使用RR4（110℃）或丙酮。
NR9-3000PY 与普通中薄层光刻胶的区别是什么？
答：区别在于侧壁形貌与用途—— 它是剥离专用胶，倾斜侧壁 + 可调底切让金属剥离更干净；而普通胶多为垂直侧壁，用于刻蚀或电镀。
