发布日期：2026/5/29 17:19:20
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NR9-6000P电镀负胶
厚金属电镀、厚膜湿法刻蚀、大功率器件的厚膜胶。
NR9-6000P 是适用于 365nm 紫外曝光的厚膜负性光刻胶，可实现 4.9–12.2μm 厚膜图形化，具备高分辨率、高感光度、快显影、耐高温（100℃）、在电镀与湿法刻蚀环境中附着力优异等特点，可通过 RR4 或丙酮去除，且室温下保质期长达 3 年。该光刻胶广泛应用于 SiC/GaN 功率器件、厚金属电镀、厚膜湿法刻蚀、MEMS、传感器、玻璃 / 陶瓷基底加工 等领域，尤其适合厚膜、高附着力、大功率器件的光刻加工场景。
一、核心应用场景
1. 厚金属电镀工艺（强项、匹配）
厚铜、厚镍、厚金、厚银电化学电镀掩模 许总：15220133370
功率器件、大电流电极、微线圈、加热器结构
厚膜条件下不脱膜、不翘边、不底切
2. SiC / GaN 第三代半导体功率器件
4H?SiC、GaN 器件厚源漏电极、欧姆接触、场板
大功率器件、高压器件、大电流布线图形
适配厚金属工艺与高温（100℃）制程
3. 厚膜湿法刻蚀掩模
硅、金属、介质层厚膜湿法腐蚀保护
酸性 / 碱性腐蚀液中附着力极强
厚图形、高深宽比结构稳定不变形
4. MEMS、微机械、传感器厚膜加工
压电、惯性、声学、压力传感器厚电极 / 厚结构
微悬臂梁、微桥、厚布线、厚保护层
膜厚均匀、图形精度高
5. 厚膜剥离（lift-off）辅助工艺
中厚层 Ti/Au、Ni/Au、Al 电极剥离
大功率器件、射频器件厚电极图形化
附着牢固、无残胶、去胶容易
6. 玻璃 / 陶瓷 / 低热导基板厚膜光刻
玻璃、陶瓷封装基板、光电器件基底
玻璃基板：烘烤时间 ×3.5
厚膜涂覆均匀、无条纹、边缘稳定
7. 通用厚膜精细光刻
5–12μm 厚膜高精度图形加工
厚保护层、隔离层、阻挡层、布线层
实验室 / 产线通用、稳定性极强
二、使用 NR9-6000P 的情况
需要 5–12μm 厚膜光刻
工艺涉及 厚金属电镀 或 湿法刻蚀
要求厚膜条件下附着力极强
工艺温度 100℃
365nm 光刻机通用
希望快显影、易去胶、室温长期保存
一、产品定位与描述
NR9-6000P 是适用于365nm波长曝光的厚膜负性光刻胶，兼容步进机、扫描投影光刻机、接近式与接触式光刻机。
配方与工艺满足职业安全与环保要求
主溶剂：环己酮（cyclohexanone）
显影体系：碱性水溶液（RD6）
二、核心优势
分辨率优异，可实现厚膜高精度图形加工
感光与显影速度快，有效提升制程效率
电镀与湿法刻蚀附着力极强，工艺环境适应性好
耐高温性稳定，可承受 100℃ 工艺温度
去胶便捷，可用 RR4（110℃）或丙酮去除
超长保质期，25℃室温可存放 3 年
三、关键理化参数
外观：浅黄色液体
固含量：40%–43%
涂覆性：非常均匀、无条纹
感光度（365nm）：21mJ/cm2·μm
保质期：25℃室温存储 3 年
四、膜厚与旋涂参数（150℃软烘 60s 后）
表格
旋涂转速 (rpm) 旋涂时间 (s) 膜厚范围 (nm)
1000 40 11020–12180
1200 40 10136–11203
1500 40 8137–8993
2000 40 7011–7749
3000 40 5700–6300
4000 40 4978–5502
五、标准工艺流程
旋涂涂胶：目标转速旋涂40s
除边珠：使用EBR2处理晶圆上下边缘
软烘：150℃热板烘烤 60s
365nm 紫外曝光
曝光后烘烤：100℃热板烘烤 60s
显影：RD6 显影液喷淋 / 浸泡；6μm 膜厚显影约 50s
冲洗：去离子水冲洗至电阻率达标
干燥
去胶：RR4（110℃） 或 丙酮
六、基板适配要求
良导热基板（硅、GaAs）：按标准参数执行
低热导基板（玻璃）：烘烤时间延长 3.5 倍
七、安全注意事项
本品为易燃液体，需远离热源、火花与明火
操作环境需保持良好通风
禁止吞食，避免接触皮肤、蒸气与雾滴
佩戴护目镜、橡胶手套及防护衣
4. 关键问题与答案
NR9-6000P 哪些工艺场景？
答：厚膜金属电镀与湿法刻蚀场景，因其在电镀和湿法腐蚀环境中附着力优异，且膜厚达4.9–12.2μm，可满足厚电极与厚掩模需求。
NR9-6000P 的膜厚如何调控？典型厚膜的显影时间是多少？
答：通过旋涂转速调控膜厚，转速越低膜厚越厚；6μm 膜厚在标准工艺下显影时间约为50s。
NR9-6000P 在玻璃基板上使用时需注意什么？
答：玻璃属于低热导基板，使用时需将软烘与曝光后烘烤的时间延长 3.5 倍，以保证胶层充分固化与图形稳定。
