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山西省太原市尖草坪区开发用2026特别推产品

发布日期:2026/5/29 17:22:56

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NR9-6000PYlift-off负胶
专门用于5–12μm 超厚金属电极的剥离(lift-off)工艺。
NR9-6000PY 是适用于 365nm 紫外曝光的厚膜负性光刻胶,专为厚膜金属剥离(lift-off)工艺设计,显影后可形成负倾斜侧壁,且底切程度可通过曝光剂量灵活调节,具备高分辨率、快显影、耐高温(100℃)、易去除等特点,室温下保质期长达 3 年。该光刻胶广泛应用于 SiC/GaN 功率器件、厚金属电极、MEMS、传感器、射频 / 光电器件、玻璃 / 陶瓷基底加工 等领域,尤其适合 5–12μm 厚膜、高精度、无毛刺厚金属电极的剥离加工场景。

一、核心应用场景
1. 厚膜金属剥离(核心、匹配)
5–12μm 超厚 Ti/Au、Ni/Au、Al、Cu、Pd 电极剥离图形化   许总:15220133370
大功率器件、高压器件、大电流布线厚电极制备
要求无毛刺、无粘连、边缘垂直、无残胶的厚金属结构
2. SiC / GaN 第三代半导体功率器件
4H?SiC、GaN 器件厚源漏、厚欧姆接触、厚场板、厚栅电极
高压 / 大功率器件厚金属电极剥离
厚膜、高深宽比、高温兼容(100℃)
3. MEMS、微机械、传感器厚电极加工
微线圈、微加热器、压电结构、惯性传感器厚金属电极
厚布线、厚反射层、厚导电结构
侧壁可控、厚膜均匀、剥离成功率高
4. 射频 / 微波 / 功率器件厚电极
射频传输线、大功率电极、厚金属互联
低损耗、高平整度、边缘干净的厚金属图形
5. 玻璃 / 陶瓷 / 低热导基板厚膜剥离
玻璃、陶瓷封装基板、光电器件基底
玻璃基板:烘烤时间 ×3.5
厚膜涂覆均匀、附着稳定
6. 实验室厚膜剥离工艺
科研样品厚金属电极稳定剥离
底切(undercut)可通过曝光量自由调节
室温保存 3 年,无需冷藏,使用方便
二、使用 NR9-6000PY 的情况
做 厚膜金属剥离 lift-off
需要 5–12μm 超厚膜
要求负倾斜侧壁、底切可调
希望厚金属剥离干净、不挂边、无毛刺
工艺温度 100℃
365nm 光刻机通用
显影快、去胶容易

一、产品定位与描述
NR9-6000PY 是适用于365nm波长曝光的厚膜负性光刻胶,兼容步进机、扫描投影光刻机、接近式与接触式光刻机。
核心设计:显影后呈现负倾斜侧壁,专为 金属剥离(lift-off) 工艺优化
配方环保:符合职业与环境安全要求
主溶剂:环己酮(cyclohexanone)
显影体系:碱性水溶液(RD6)
二、核心优势
负倾斜侧壁:完美适配金属剥离,提升剥离质量
底切可调:可通过曝光能量灵活控制 undercut 大小
高分辨率 + 快显影:满足厚膜精细图形加工
耐高温:可承受 100℃ 工艺温度
易去胶:使用 RR4(110℃)或丙酮即可去除
超长保质期:25℃室温可存放 3 年
三、关键理化参数
外观:浅黄色液体
固含量:40%–43%
涂覆性:非常均匀、无条纹
感光度(365nm):190mJ/cm2·μm
保质期:25℃室温存储 3 年
四、膜厚与旋涂参数(150℃软烘 60s 后)
表格
旋涂转速 (rpm) 旋涂时间 (s) 膜厚范围 (nm)
1000 40 11020–12180
1200 40 10136–11203
1500 40 8137–8993
2000 40 7011–7749
3000 40 5700–6300
4000 40 4978–5502
五、标准工艺流程
旋涂涂胶:目标转速旋涂40s
除边珠:使用EBR2处理晶圆上下边缘
软烘:150℃热板烘烤 60s
365nm 紫外曝光
曝光后烘烤:100℃热板烘烤 60s
显影:RD6 显影液喷淋 / 浸泡;6μm 膜厚显影约 50s
冲洗:去离子水冲洗至电阻率达标
干燥
去胶:RR4(110℃) 或 丙酮
六、基板适配要求
良导热基板(硅、GaAs):按标准参数执行
低热导基板(玻璃):烘烤时间延长 3.5 倍
七、安全注意事项
本品为易燃液体,远离热源、火花、明火
操作环境需充分通风
禁止吞食,避免接触皮肤、蒸气、雾滴
佩戴化学护目镜、橡胶手套及防护衣
4. 关键问题与答案
NR9-6000PY 核心的设计用途与结构特点是什么?
答:核心用途是厚膜金属剥离(lift-off);结构特点是显影后形成负倾斜侧壁,且底切程度可通过曝光剂量调节,让厚金属剥离更干净无毛刺。
NR9-6000PY 的膜厚范围、典型显影时间与去胶方式分别是什么?
答:膜厚范围为4978–12180nm(4.9–12.2μm);6μm 膜厚的显影时间约50s;去胶可使用RR4 去胶剂(110℃)或丙酮。
NR9-6000PY 在玻璃基板上使用时为何要调整工艺?如何调整?
答:玻璃是低热导基板,固化速度慢;需将软烘与曝光后烘烤的时间延长 3.5 倍,保证胶层充分固化,避免图形失真或脱落。