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上海嘉定区硅材料项目开发2026年友情推荐

发布日期:2026/5/29 17:27:44

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NR9G-3000PY lift-off负胶
适合曝光能量弱、多波长设备、2–6μm 中薄层金属剥离场景。
NR9G-3000PY 是适用于 365/406/436nm 多波长紫外曝光的中薄层负性光刻胶,专为金属剥离(lift-off)工艺设计,显影后可形成负倾斜侧壁,且底切程度可通过曝光剂量灵活调节,具备超高感光度、快显影、耐高温(100℃)、室温去胶等特点。该光刻胶兼容多种曝光设备,涂覆均匀且工艺稳定,广泛应用于 SiC/GaN 功率器件、MEMS、传感器、光电器件、玻璃 / 陶瓷基底加工 等领域,尤其适合多波长设备、低曝光能量、中薄层高精度金属剥离的光刻场景。

一、核心应用场景
1. 中薄层金属剥离(lift-off)(匹配)
Ti/Au、Ni/Au、Al、Pd、Pt 等2–6μm 中厚金属电极剥离            许总:15220133370
要求无毛刺、无粘连、边缘干净的微细电极
底切(undercut)可通过曝光量自由调节
2. 多波长曝光设备通用工艺
支持 365nm(i-line) / 406nm / 436nm(g-line) 曝光
实验室多台光刻机混用、老款接触式 / 接近式光刻机
光强弱、曝光时间短的设备环境
3. SiC / GaN 第三代半导体器件
4H?SiC、GaN 器件栅电极、源漏电极、欧姆接触
功率器件、HEMT、射频器件微细电极剥离
耐高温 100℃,适配后续热处理工艺
4. MEMS、传感器、光电器件
微型传感器、压电 / 声学器件、微机械结构金属电极
微悬臂梁、微桥、光波导、反射镜电极图形化
均匀性好、图形精度高、无残胶
5. 低能量 / 弱曝光环境
接近式、接触式光刻机等光强较弱的设备
需要 超高感光度(30mJ/cm2?μm) 快速曝光
追求高产能、短曝光时间的工艺
6. 玻璃 / 陶瓷 / 低热导基板剥离
玻璃、陶瓷封装基板、光电器件基底
玻璃基板:烘烤时间 ×3.5
涂覆均匀、附着稳定、剥离成功率高
7. 科研实验室通用微细工艺
无需冷藏,室温可存 1 年
显影快、去胶温和(室温去胶)
稳定性高、重复性好
二、使用 NR9G-3000PY 的情况
做 中薄层金属剥离 lift-off
需要 2–6μm 膜厚
设备支持 365/406/436nm 多波长
曝光光强弱、能量低
要求超高感光度、快曝光
希望室温即可去胶、不伤基底
工艺温度 100℃

 

一、产品定位与描述
NR9G-3000PY 是一款多波长兼容、中薄层、金属剥离专用的负性光刻胶,支持365nm/406nm/436nm曝光,适配步进机、投影光刻机、接近 / 接触式光刻机。
显影后呈现负倾斜侧壁,专为金属剥离(lift-off)优化
配方符合职业与环保安全要求
主溶剂:环己酮
显影体系:碱性水溶液(RD6/2.38% TMAH)
二、核心优势
多波长兼容:支持 365/406/436nm,设备通用性强
负倾斜侧壁:显著提升金属剥离质量与成功率
底切可调:可通过曝光能量灵活控制 undercut 程度
超高感光度:30mJ/cm2·μm,曝光效率高
快显影:3μm 膜仅需16s
耐高温:可承受 100℃ 工艺温度
室温去胶:RR5 去胶剂室温即可去除
涂覆均匀:无条纹、一致性好
三、关键理化参数
外观:浅黄色液体
固含量:31%–35%
感光度(365nm):30mJ/cm2·μm
保质期:23℃室温存储 1 年
四、膜厚与旋涂参数(100℃/300s 烘烤后)
表格
旋涂转速 (rpm) 旋涂时间 (s) 膜厚范围 (nm)
800 40 5700–6300
3000 40 2850–3150
4000 40 2460–2720
5000 40 2140–2326
五、标准工艺流程
旋涂涂胶:3000rpm 旋涂40s,加速 < 1s,6 寸片用量7mL
软烘:110℃热板烘烤 90s
冷却至室温
曝光:波长 < 440nm 均可
曝光后烘:110℃热板烘烤 90s
冷却至室温
显影:RD6/2.38%TMAH,20–25℃,3μm 膜约16s
去离子水冲洗
干燥
去胶:RR5 去胶剂室温去除
六、基板适配要求
良导热基板(Si、GaAs):按标准参数执行
低热导基板(0.7mm 玻璃):烘烤时间延长 3.5 倍
七、安全注意事项
本品为易燃液体,远离热源、火花、明火
操作需通风,佩戴护目镜、手套与防护服
禁止吞食,避免接触皮肤与黏膜
4. 关键问题与答案
NR9G-3000PY 与普通剥离胶(如 NR9-3000PY)核心的区别是什么?
答:核心区别是多波长兼容(365/406/436nm)与超高感光度(30mJ/cm2?μm),同时支持室温去胶,设备适配更广、曝光更快、工艺更温和。
NR9G-3000PY 的标准旋涂与显影参数是什么?为何玻璃基板要调整工艺?
答:标准旋涂为3000rpm/40s;3μm 膜显影时间约16s。玻璃是低热导基板,固化慢,因此需将烘烤时间延长 3.5 倍以保证图形稳定。
NR9G-3000PY 的设计定位与的工艺场景是什么?
答:定位是多波长、中薄层、高感度、金属剥离专用光刻胶;2–6μm 中薄层金属剥离(lift-off),尤其适用于光强较弱、多波长混用的曝光设备。