深圳市芯泰科光电有限公司
更多>>
更多>>
更多>>
新闻中心

湖北省咸宁市赤壁市LED课题开发2026特别推产品

发布日期:2026/5/29 17:36:27

浏览次数: 点赞数: 收藏数: 关注数: 【赞一个】    【举报】    【收藏】    【关注】

NR21-20000P 超厚负胶
是超厚金属电镀、MEMS 高深宽比结构、大功率器件的专用光刻胶。
NR21-20000P 是适用于 365nm 紫外曝光的超厚膜负性光刻胶,可实现 18–125μm 超厚膜图形化,具备高分辨率、快显影、电镀环境下附着力优异、易去除等特点,能够满足高深宽比结构加工需求。该光刻胶广泛应用于 超厚金属电镀、MEMS 微结构、SiC/GaN 大功率器件、射频器件、微流控芯片、玻璃 / 陶瓷基底加工 等领域,尤其适合需要超厚膜、高深宽比、高附着力的厚电极与厚结构光刻场景。
一、核心应用场景
1. 超厚金属电镀工艺(核心、匹配)
10–120μm 超厚铜、厚金、厚镍、厚银电化学电镀掩模           许总:15220133370
大功率器件、大电流电极、功率电感、微线圈、厚布线
超厚膜条件下不脱膜、不翘边、不底切、不炸裂
2. MEMS 高深宽比微结构加工
高深宽比硅基微结构、微通道、微模具、微悬臂梁
厚膜光刻结构、微机械凸起结构、高深宽比屏蔽层
支持 125μm 超厚胶,图形垂直性好
3. SiC / GaN 大功率器件厚电极
高压 / 大功率 SiC、GaN 器件超厚源漏、厚欧姆接触
大电流互联层、厚场板、厚栅电极图形化
耐高温、高附着、适配功率器件工艺流程
4. 微电感、微变压器、射频器件厚金属
射频 / 微波器件、毫米波电路厚金属电极
微电感线圈、厚传输线、低损耗厚布线
厚膜图形保真度高、边缘垂直
5. 厚膜湿法刻蚀与厚保护层
厚金属层、厚介质层湿法刻蚀掩模
厚保护层、隔离层、阻挡层、厚光刻结构
高附着、耐腐蚀、工艺稳定
6. 玻璃 / 陶瓷 / InP 等基板超厚光刻
玻璃、陶瓷、蓝宝石、InP 等基底超厚膜图形
使用时需校准表面温度,保证厚膜固化完全
涂覆均匀、无条纹、厚膜不流淌
7. 微流控、微模具、厚结构加工
微流控芯片通道结构、微模具凸台结构
厚胶结构直接作为模具或牺牲层
高分辨率、高深宽比、易去胶
二、使用 NR21-20000P 的情况
需要 18–125μm 超厚膜光刻
做 超厚金属电镀(关键)
要求厚膜下附着力极强、不脱落
需要高深宽比、垂直侧壁
设备为 365nm 紫外光刻机
希望快显影、易去胶、制程稳定

 

一、产品定位与描述
NR21-20000P 是一款365nm 紫外专用超厚膜负性光刻胶,兼容步进机、扫描投影光刻机、接近式 / 接触式光刻机,专为超厚膜光刻、超厚金属电镀、高深宽比微结构设计。
配方符合职业安全与环保要求
主溶剂:γ- 丁内酯(gammabutyrolactone)
显影体系:碱性水溶液(RD6)
二、核心性能优势
超厚膜能力:支持18μm–125μm超厚膜涂覆
电镀附着力:在电镀工艺中不脱落、不翘边
高分辨率:可实现高深宽比图形加工
快显影:制程效率高
易去胶:使用 RR41 去胶剂可轻松去除
三、关键理化参数
表格
参数项 数值 / 条件
固含量 50%–56%
外观 浅黄色液体
涂覆性 均匀、无条纹
感光度(365nm) 46mJ/cm2·μm
保存条件 5℃冷藏
保质期 1 年
四、膜厚与旋涂 / 烘烤参数表
表格
旋涂转速 (rpm) 旋涂时间 (s) 软烘 1(80℃) 软烘 2(150℃) 曝光后烘(80℃) 终膜厚 (nm)
1050 10 600s 300s 600s 115000–125000
1200 10 600s 300s 600s 95000–105000
1500 10 - 180s 300s 48000–52000
3150 10 - 180s 300s 38000–42000
3000 40 - 120s 300s 18000–22000
五、标准工艺流程
旋涂涂胶:按目标膜厚选择转速与时间
软烘:按膜厚选择 80℃/150℃与对应时长
曝光:365nm,剂量 = 膜厚 (μm)×46mJ/cm2
曝光后烘:80℃,时长依膜厚而定
显影:RD6,20–25℃,喷淋 / 浸置
去离子水冲洗 + 干燥
去胶:RR41 去胶剂去除
六、基板适配要求
良导热基板(Si、GaAs、InP):按标准工艺执行
低热导基板(玻璃等):必须校准基板表面温度,确保烘烤达到设定值
七、安全注意事项
本品为易燃液体,远离热源、火花、明火
操作需通风,佩戴护目镜、手套与防护服
禁止吞食,避免接触皮肤与黏膜
4. 关键问题与答案
NR21-20000P 的核心特点是什么?适合什么场景?
答:核心特点是超厚膜涂覆能力( 125μm)与电镀附着力;超厚金属电镀、高深宽比 MEMS 结构、大功率器件厚电极等需要 18μm 以上超厚膜的光刻场景。
如何计算 NR21-20000P 的曝光时间?
答:曝光剂量 = 膜厚 (μm)×46mJ/cm2;曝光时间 (s)= 曝光剂量 (mJ/cm2)÷ 光强 (mW/cm2),需先使用校准仪测量 365nm 光强。
NR21-20000P 在低热导基板(如玻璃)上使用时,为何必须校准表面温度?
答:玻璃等低热导基板导热效率低,热板设定温度≠基板实际温度;若不校准,会导致烘烤不足 / 过度,引发膜厚损失、图形变形、附着力下降等问题。