发布日期：2026/5/29 17:40:05
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NR71-250P 高精度负胶
它是超精细图形、高温制程、干法刻蚀、超薄掩模的专用光刻胶。
NR71-250P 是适用于 366nm 紫外曝光的超高分辨率超薄层负性光刻胶，可实现 220–600nm 超薄膜图形化，具备 ＜0.5μm 超高分辨率、耐 180℃高温、优异抗 RIE 干法刻蚀性、无需 HMDS 增粘剂 等特点，室温下保质期长达 3 年。该光刻胶可通过高温固化成为器件永久结构，广泛应用于 超精细半导体器件、SiC/GaN 功率器件、MEMS、传感器、光电器件、高温与干法刻蚀制程 等领域，尤其适合高精度、高温、强刻蚀、超薄掩模的严苛光刻场景。
一、核心应用场景
1. 超精细半导体光刻（匹配）
线宽 ＜0.5μm 的超精细图形、栅极、微细电极、接触孔
硅、SiC、GaN、InP 器件超细线条、高精度对准结构 许总：15220133370
要求超高分辨率、超薄掩模、无边缘粗糙
2. 高温制程工艺（耐 180℃）
需 150–180℃ 高温退火、回流、沉积 的制程
高温下图形不变形、不流淌、不脆裂
功率器件、射频器件后端高温工艺
3. 强 RIE 干法刻蚀掩模
硅、介质、金属的深度干法刻蚀保护掩模
等离子刻蚀环境下抗蚀性强、图形保真度高
高深宽比微细刻蚀工艺
4. 无需 HMDS 增粘的高精度工艺
基底不能使用 HMDS 或增粘剂的敏感器件
直接涂胶即有高附着力，简化流程、降低污染
高质量、高可靠、高一致性科研与量产工艺
5. 超薄金属剥离 / 超薄层刻蚀
200–600nm 超薄金属（Ti/Au、Ni/Au、Pt）剥离掩模
表层浅刻蚀、超薄介质图形化
超薄膜、高精度、无条纹
6. MEMS / 传感器 / 光电器件超精细结构
微型传感器、压电、声学、光电器件超细电极 / 光栅
微悬臂梁根部、微细引线、高精度对准标记
耐高温、抗等离子体处理
7. 永久结构光刻（可固化为器件一部分）
通过140℃/12h 或 250℃/10min固化后，成为器件永久结构
绝缘层、保护层、图形化永久掩模
不溶于常规溶剂，稳定性极高
二、使用 NR71-250P 的情况
需要 ＜0.5μm 超高分辨率
膜厚仅需 200–600nm 超薄层
制程温度 180℃
必须耐受 RIE 干法刻蚀
不能使用 HMDS 增粘剂
希望室温保存 3 年、无需冷藏
用于高精度、高可靠、超洁净制程
一、产品定位与描述
NR71-250P 是适用于366nm波长曝光的超薄层负性光刻胶，兼容步进机、扫描投影光刻机、接近式 / 接触式光刻机，面向超精细、高温、强干法刻蚀场景设计。
配方符合职业安全与环保要求
主溶剂：γ- 丁内酯（gamma butyrolactone）
显影体系：RD6: 水 = 3:1 碱性水溶液
二、核心性能优势
超高分辨率：可实现 ＜0.5μm 超精细图形加工
耐高温：耐受温度可达180℃
抗 RIE 干法刻蚀：刻蚀环境下图形保持稳定
无需增粘剂：可直接使用，无需 HMDS 底涂
感光与显影快速：提升制程效率
超长室温保质期：25℃可存放 3 年
三、关键理化参数
表格
参数项 数值 / 条件
固含量 9%–12%
外观 浅黄色液体
涂覆性 非常均匀、无条纹
感光度（365nm） 21mJ/cm2·μm
耐温 180℃
保质期 25℃室温 3 年
四、膜厚与旋涂参数（150℃/60s 软烘后）
表格
旋涂转速 (rpm) 旋涂时间 (s) 膜厚范围 (nm)
800 40 400–600
3000 40 220–280
五、标准工艺流程
旋涂涂胶：设定转速旋涂40s
软烘：150℃热板烘烤 60s
曝光：366nm波长曝光
曝光后烘：100℃热板烘烤 60s
显影：RD6: 水 = 3:1，喷淋 / 浸置；0.25μm 膜显影 30s
去离子水冲洗 + 干燥
永久固化（可选）：140℃烘箱 12h 或 250℃热板 10min
去胶：RR41 去胶剂 110℃ 去除
六、适用基板
良导热基板：Si、GaAs、InP 等
低热导基板需根据表面温度校准工艺
七、安全注意事项
本品为可燃液体，远离热源、火花、明火
操作需通风，佩戴护目镜、手套与防护服
禁止吞食，避免接触皮肤与黏膜
4. 关键问题与答案
NR71-250P 突出的三大核心特性是什么？
答：＜0.5μm 超高分辨率、耐 180℃高温、优异的抗 RIE 干法刻蚀性能，同时无需 HMDS 增粘剂，可大幅简化工艺。
NR71-250P 的膜厚范围是多少？如何实现永久固化？
答：膜厚范围为220–600nm；永久固化有两种方式：140℃烘箱烘烤 12 小时或250℃热板烘烤 10 分钟，使胶层不溶于常规溶剂。
NR71-250P 的显影条件与去胶方式是什么？与普通超薄胶有何不同？
答：显影使用RD6: 水 = 3:1的稀释液，0.25μm 膜厚显影 30s；去胶需用RR41 在 110℃去除。与普通超薄胶相比，它耐高温、抗刻蚀、无需底涂，更适合严苛的后端制程。
