发布日期：2026/5/29 17:51:44
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NR71-3000P电镀负胶
它是中厚膜高精度刻蚀掩模、高温制程、中厚金属电镀的专用型号。
NR71-3000P 是适用于 365nm 紫外曝光的中厚膜负性光刻胶，可实现 2.1–6.3μm 中厚膜图形化，显影后具有垂直侧壁形貌，具备高分辨率、耐 180℃高温、优异抗 RIE 干法刻蚀性、无需 HMDS 增粘剂等特点，室温下保质期长达 3 年。该光刻胶涂覆均匀、附着力强、显影快速，广泛应用于 中厚膜干法刻蚀、中厚金属电镀、SiC/GaN 功率器件、MEMS、传感器、光电器件、高温制程 等领域，尤其适合中厚膜、高精度、高温、强刻蚀环境下的光刻加工场景。
一、核心应用场景
1. 中厚膜干法刻蚀掩模（匹配）
硅、氧化硅、氮化硅、金属等RIE 干法刻蚀保护掩模 许总：15220133370
中深度、高深宽比、高精度刻蚀工艺
耐高温、抗等离子体、图形保真度极高
2. 中厚金属电镀工艺
2–6μm 中厚铜、镍、金、银电化学电镀掩模
功率器件、射频器件、微线圈、厚布线图形化
垂直侧壁、高附着、不翘边、不底切
3. 高温兼容制程（耐 180℃）
需 150–180℃ 高温退火、沉积、合金、键合 的后端工艺
高温下不流淌、不变形、不脱落、不脆裂
SiC/GaN/InP 等高温器件制程
4. 无需 HMDS 增粘剂的洁净制程
对增粘剂敏感的异质结、敏感器件表面
直接涂胶、高附着、无污染、简化流程
高可靠性、高一致性科研与量产工艺
5. 中厚膜高精度半导体图形
线宽＜0.5μm 级中厚膜高精度结构
栅极、电极、接触孔、对准标记、屏蔽层
图形垂直、边缘光滑、缺陷少
6. MEMS、传感器、光电器件
微机械、压电器件、光波导、光栅中厚膜结构
微悬臂梁、微桥、厚保护层、绝缘层
耐高温、抗刻蚀、稳定性强
7. 玻璃 / 陶瓷 / 低热导基板中厚膜光刻
玻璃、陶瓷、蓝宝石基底中厚膜图形加工
需调整烘烤参数保证膜层充分固化
大面积均匀性好、无条纹
二、使用 NR71-3000P 的情况
需要 2.1–6.3μm 中厚膜
要求垂直侧壁（刻蚀 / 电镀专用）
制程温度 180℃
必须耐受 RIE 干法刻蚀
不能使用 HMDS 增粘剂
希望室温保存 3 年、无需冷藏
用于高精度、高温、强刻蚀制程
一、产品定位与核心优势
NR71-3000P 是适用于365nm波长曝光的中厚膜负性光刻胶，兼容步进机、扫描投影光刻机、接近式 / 接触式光刻机，专为高温、干法刻蚀、高精度中厚膜图形设计。
垂直侧壁：显影后轮廓笔直，适合刻蚀与电镀
耐高温：耐受 180℃ 工艺温度
抗 RIE 干法刻蚀：等离子环境下图形稳定
无需增粘剂：省去 HMDS 底涂，简化流程
快感光快显影：提升制程效率
超长保质期：25℃室温可存放 3 年
二、关键理化参数
表格
参数项 数值 / 条件
固含量 31%–35%
外观 浅黄色液体
涂覆性 非常均匀、无条纹
感光度（365nm） 21mJ/cm2·μm
耐温上限 180℃
保存条件 25℃室温
保质期 3 年
主溶剂 γ- 丁内酯
显影液 RD6 碱性水溶液
三、膜厚与旋涂参数（150℃/60s 软烘后）
表格
旋涂转速 (rpm) 旋涂时间 (s) 膜厚范围 (nm)
800 40 5700–6300
3000 40 2850–3150
4000 40 2460–2720
5000 40 2140–2326
四、标准工艺流程
旋涂涂胶：目标转速旋涂40s
EBR2 除边珠：涂胶后处理晶圆边缘10s
软烘：150℃/60s + 165℃/240s（两段式）
曝光：365nm波长紫外曝光
曝光后烘：100℃/60s + 110℃/240s（两段式）
显影：RD6 喷淋 / 浸置；3μm 膜显影 30s
去离子水冲洗至电阻率达标后干燥
去胶：使用RR41去胶剂去除
五、基板适配要求
良导热基板（Si、GaAs、InP）：标准工艺直接使用
1mm 厚玻璃基板：低热导特性，需调整烘烤温度 / 时间
六、安全注意事项
本品为可燃液体，远离热源、火花与明火
操作环境保持通风，佩戴护目镜、橡胶手套与防护服
禁止吞食，避免接触皮肤、黏膜与蒸气
4. 关键问题
NR71-3000P 的侧壁形貌是什么？适合哪些核心工艺？
答：显影后为垂直侧壁，非常适合RIE 干法刻蚀掩模与金属电镀工艺，不用于金属剥离。
NR71-3000P 为何采用两段式烘烤？EBR2 除边珠的作用是什么？
答：两段式烘烤可使中厚膜充分固化，提升耐高温性与抗刻蚀性；EBR2 用于去除晶圆边缘余胶，避免制程中边缘膜脱落污染。
NR71-3000P 与同系列 NR71-3000PY 的核心区别是什么？
答：NR71-3000P 是垂直侧壁，用于刻蚀 / 电镀；NR71-3000PY 是负倾斜侧壁，用于金属剥离（lift-off），二者用途完全不同。
