发布日期：2026/5/31 1:16:46
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PR1-1500A高精度正胶
它是难附着表面、中薄层高精度、反射衬底、低温简单制程的理想正胶。
PR1-1500A 是适用于 365nm/436nm 紫外曝光的超高附着力中薄层正性光刻胶，可实现 1.25–2.9μm 中薄层图形化，具备优异基材附着力、无需 HMDS 增粘剂、高分辨率、良好线宽控制、反射缺口、RIE 后易去除等特点，室温下保质期长达 1 年。该光刻胶工艺简单、兼容性强，广泛应用于难附着表面、高反射衬底、微细图形加工、玻璃 / 低热导基板、科研实验室通用光刻等领域，尤其适合对附着力要求高、制程简单、高精度的中薄层正胶光刻场景。
一、核心应用场景
1. 难附着表面中薄层光刻（匹配）
金属、合金、氧化物、氮化物、异质结等传统正胶极易脱膜、翘边、底切的表面 许总：15220133370
要求超高附着力，但不能 / 不推荐使用 HMDS的洁净制程
直接涂胶即可强附着，良率高、可靠性高
2. 365nm / 436nm 双波长通用光刻
支持 i-line(365nm) / g-line(436nm) 曝光
实验室多台光刻机混用、老款接触 / 接近 / 投影式设备
436nm 感光度更高，曝光更快、效率更高
3. 高反射衬底微细图形加工
铝、金、铜、银、多晶硅等高反射表面
有效反射缺口（reflective notching），线宽控制更稳定
图形边缘光滑、尺寸精度高、均匀性好
4. 1.25–2.9μm 中薄层高精度正胶工艺
微细电极、接触孔、布线、电感图形、屏蔽层、对准标记
高分辨率、图形均匀、缺陷少、适合科研与小批量量产
5. RIE 干法刻蚀后易去除工艺
经过等离子刻蚀后，仍能轻松去胶，不碳化、不残留
适合对去胶洁净度要求高的 MEMS、传感器、光电器件
6. 低温 / 简易制程工艺
软烘仅需 120℃短时间烘烤 或 100℃烘箱
设备条件有限、无法高温制程的场景
工艺简单、稳定、重复性好
7. 玻璃 / 石英 / 低热导基板光刻
玻璃、石英、蓝宝石等难导热基底
只需将烘烤时间延长 3.5 倍 即可稳定成膜
涂覆均匀、无条纹、不脱膜、不回缩
8. 科研实验室通用型正胶
室温可存 1 年，无需冷藏
显影快、去胶简单（丙酮即可）
适用范围广、兼容性强、良率高
二、使用 PR1-1500A 的情况
基底难附着、易脱膜、易翘边
不能 / 不推荐使用 HMDS 增粘剂
设备支持 365/436nm 双波长
高反射表面，需要反射缺口
膜厚需求 1.25–2.9μm 中薄层正胶
希望室温保存、工艺简单、去胶容易
一、产品定位与核心优势
PR1-1500A 为正性光刻胶，支持 365nm (i-line)、436nm (g-line) 双波段曝光，兼容各类紫外光刻机。
基材附着力优异：显著优于商用正胶，不推荐使用 HMDS增粘剂
高分辨率，可加工精细图形
线宽控制稳定：有效反射缺口（reflective notching）
感光速度快，提升制程效率
RIE 干法刻蚀后易去除，无残留
室温存储：25℃条件下保质期1 年
二、关键理化参数
表格
参数项 数值 / 条件
固含量 22%–25%
外观 浅黄色液体
涂覆性 非常均匀、无条纹
主溶剂 1 - 甲氧基 - 2 - 丙醇
感光度 365nm 70mJ/cm2·μm
感光度 436nm 40mJ/cm2·μm
保存条件 25℃室温
保质期 1 年
显影液 RD6 碱性水溶液
去胶方式 RR4 或 丙酮
三、膜厚与旋涂参数（100℃烘箱 15min 后）
表格
旋涂转速 (rpm) 旋涂时间 (s) 膜厚范围 (nm)
1000 40 2700–2900
1500 40 2250–2450
2000 40 1760–1960
3000 40 1440–1640
4000 40 1250–1450
四、标准工艺流程
旋涂涂胶：设定转速旋涂40s
软烘（二选一）：
120℃热板烘烤 60s
100℃烘箱烘烤 15min
曝光：365nm 或 436nm 波长紫外曝光
显影：RD6 显影液喷淋 / 浸置显影
冲洗干燥：去离子水冲洗至电阻率达标后干燥
去胶：RR4 去胶剂或丙酮去除
五、基板适配要求
良导热基板（Si、GaAs）：标准工艺
低热导基板（玻璃）：烘烤时间延长 3.5 倍
六、安全注意事项
本品为易燃液体，远离热源、火花、明火
操作环境通风，佩戴护目镜、手套与防护服
禁止吞食，避免接触皮肤与黏膜
4. 关键问题
PR1-1500A 核心的特点是什么？为什么不建议使用 HMDS？
答：核心特点是远超普通正胶的基材附着力；因为自身附着力已满足工艺需求，使用 HMDS 会降低附着效果，因此不推荐使用。
PR1-1500A 在 365nm 和 436nm 曝光下的感光度有何差异？更适合哪个波段？
答：365nm 感光度为70mJ/cm2·μm，436nm 为40mJ/cm2·μm；436nm 感光度更高，更适合 g-line 曝光设备。
PR1-1500A 的膜厚范围与适用工艺定位是什么？
答：膜厚范围为1250–2900nm（1.25–2.9μm），属于中薄层正胶，适合中薄层高精度图形、难附着表面、高反射衬底、RIE 后易去胶的光刻工艺。
