深圳市芯泰科光电有限公司
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推荐一款有效保护结构材料多晶硅（多晶硅）免受电化学腐蚀的新方法，这种腐蚀通常发生在MEMS器件在hf基溶液中释放时，特别是当器件含有贵金属时。这种腐蚀严重降低了MEMS器件的电气和机械性能以及可靠性。在该方法中，使用光刻胶（PR）覆盖贵金属，其与下面的多晶硅层电偶联。这种PR盖可以有效地防止hf基溶液扩散通过并到达贵金属表面，从而切断电化学腐蚀反应的电流。多晶硅被3 μ m厚的AZ 6130 PR膜很好地保护在49%浓度的HF溶液中超过80分钟。该制造工艺简单、可靠，适合大批量生产高端微机械圆盘谐振器。得益于上述技术突破，用此方法开发出了一种低成本、高性能的圆盘谐振器微加工新方法，并在晶圆级上生产出了谐振频率在282 MHz左右、大气Q值大于2000的甚高频多晶硅圆盘谐振器。
