负性光环氧极厚胶是极厚型负性光环氧，低应力高深宽比抗开裂，专用于超厚深微流控厚层电镀模具与大功率传感器制造。核心应用场景极厚结构核心超厚悬臂梁质量块微齿轮大尺寸可动结构许总一次光刻做到极限厚度，无需多层涂胶高深宽比侧壁垂直低应力几乎不开裂超深微流控芯片深度微通道反应腔过滤结构大流量高通量高通量芯片专

发布日期：2026/6/30 12:03:48

负性光环氧超厚胶是超厚型负性光环氧，高深宽比低应力抗开裂，专用于超厚深微流控厚层电镀模具与大功率传感器制造。核心应用场景超厚结构核心超厚悬臂梁振动质量块微齿轮大尺寸可动结构许总一次涂胶实现超高结构，不用多层叠加高深宽比侧壁垂直机械强度极高不易开裂超深微流控芯片深微通道反应腔混合器过滤器大流量高通量微

发布日期：2026/6/30 11:59:10

型负性光环氧胶是标准型薄层负性光环氧，通用，高深宽比低应力工艺稳定，广泛用于微流控微电极薄层模具与精密微结构制造。核心应用场景薄层结构核心许总微型悬臂梁微桥敏感结构小机械件侧壁接近高深宽比机械强度好应力低均匀性高良率稳定薄层微流控芯片浅微通道细胞腔过滤混合微结构表面平整封接性能好耐化学生物兼容高精度

发布日期：2026/6/30 11:55:33

罗门哈斯耐高温正胶是高温型光刻胶，主打金属沟槽与硬掩模工艺，耐刻蚀低间距偏置敏感度低，广泛用于金属层沟槽结构与硬掩模光刻。核心应用场景金属沟槽光刻核心许总铜铝金属沟槽工艺高深宽比高密度金属布线耐高温耐刻蚀轮廓垂直硬掩模工艺搭配有机抗反射层做硬掩模图形后续刻蚀转移精度要求高胶本身耐刻蚀性优异沟槽线条高

发布日期：2026/6/30 11:51:36

正胶是全能型光刻胶，支持栅极接触孔沟槽三合一工艺，超稳定焦深大分辨率高，广泛用于先进逻辑存储芯片相移掩模及器件制造。核心应用场景先进制程量产核心专为节点逻辑存储芯片设计许总一支胶搞定栅极接触孔沟槽所有关键层工艺窗口极宽良率极高栅极高精度光刻晶体管栅极多晶硅线字线位线分辨率焦深轮廓垂直控制超稳定相移掩

发布日期：2026/6/30 11:47:32

陶氏正胶是陶氏整合型光刻胶，膜厚，支持三合一工艺，高分辨率，广泛用于成熟制程逻辑芯片及量产。核心应用场景制程量产核心专为工艺节点逻辑芯片设计一支胶搞定线条通孔金属层全流程许总宽工艺窗口，量产良率高稳定性强三合一整合光刻金属走线层接触孔通孔层线宽间距层工厂少胶化标准化全图形光刻精细线宽间距密集沟槽接触

发布日期：2026/6/30 11:43:55

罗门哈斯正胶是厚膜专用光刻胶，主打深离子注入与沟槽工艺，覆盖膜厚，焦深大稳定性强，广泛用于功率器件高压器件及厚膜光刻。核心应用场景深离子注入掩膜核心许总大功率器件高压器件注入区光刻厚膜高能量注入高景深要求专为注入工艺设计，是行业标准选择厚膜光刻中厚厚膜图形化低粘度涂敷均匀无条纹无缺角一支胶覆盖全膜厚

发布日期：2026/6/30 11:39:11

罗门哈斯化学增幅型正胶是量产级光刻胶，分辨率，稳定性极强焦深大耐刻蚀优异，广泛用于逻辑存储芯片接触孔高反射基底及自动化产线。核心应用场景成熟制程量产核心专为工艺节点逻辑存储芯片设计许总支持线宽间距接触孔全图形工艺窗口宽良率高量产稳定及以下高精度线条间距光刻前道栅极字线位线有源区分辨率，侧壁垂直轮廓好

发布日期：2026/6/30 11:34:17

罗门哈斯正胶是深紫外专用正性光刻胶，面向密集沟槽与工艺，适配高机台与掩模，广泛用于先进逻辑存储芯片及高深宽比微结构制造。核心应用场景密集沟槽光刻核心专为深亚微米级高密度沟槽结构设计许总浅沟槽隔离深沟槽电容高深宽比沟槽轮廓垂直均匀性好控制稳定先进逻辑存储芯片制程节点前道关键层光刻匹配高端光刻机适合高性

发布日期：2026/6/30 11:30:22

宽波段正胶是全球经典高精度光刻胶，分辨率，染料版适配高反射基底，环保低毒工艺稳定，广泛用于成熟制程功率器件与科研教学。核心应用场景宽波段量产光刻核心许总专为曝光机设计老式经典平台通用胶成熟制程主力光刻高精度关键层光刻逻辑存储芯片前道栅极多晶硅有源区线条直对比度高控制好分辨率可达，业界经典高精度胶高反

发布日期：2026/6/30 11:26:25