
超厚正胶它是难附着表面超厚膜光刻高深宽比刻蚀大结构图形低热基板的专用正胶。是适用于紫外曝光的超高附着力超厚膜正性光刻胶,可实现超厚膜图形化,具备优异基材附着力无需增粘剂高分辨率良好线宽控制反射缺口后易去除等特点,室温下保质期长达年。该光刻胶支持边缘珠去除工艺,超厚膜均匀性与结构稳定性优异,广泛应用于
发布日期:2026/10/7 0:23:02
耐蚀刻正胶它是难附着表面厚膜高精度反射衬底低热基板厚胶刻蚀的理想正胶。是适用于紫外曝光的超高附着力厚膜正性光刻胶,可实现厚膜图形化,具备优异基材附着力无需增粘剂高分辨率良好线宽控制一核心应用场景难附着表面厚膜光刻匹配金属合金氧化物氮化物异质结等极易脱膜翘边底切的表面许总要求超高附着力,但不能不推荐使
发布日期:2026/10/7 0:18:54
高精度正胶它是难附着表面中厚膜高精度反射衬底低温简单制程的理想正胶。是适用于紫外曝光的超高附着力中厚膜正性光刻胶,可实现中厚膜图形化,具备优异基材附着力无需增粘剂高分辨率良好线宽控制反射缺口后易去除等特点,室温下保质期长达年。该光刻胶工艺简单兼容性强,广泛应用于难附着表面高反射衬底微细图形加工玻璃低
发布日期:2026/10/7 0:14:05
高精度正胶它是难附着表面中薄层高精度反射衬底低温简单制程的理想正胶。是适用于紫外曝光的超高附着力中薄层正性光刻胶,可实现中薄层图形化,具备优异基材附着力无需增粘剂高分辨率良好线宽控制反射缺口后易去除等特点,室温下保质期长达年。该光刻胶工艺简单兼容性强,广泛应用于难附着表面高反射衬底微细图形加工玻璃低
发布日期:2026/10/7 0:09:36
高精度正胶它是难附着表面薄层高精度反射衬底低温简单制程的正胶。是适用于紫外曝光的超高附着力薄层正性光刻胶,可实现薄膜图形化,具备优异基材附着力无需增粘剂高分辨率良好线宽控制反射缺口后易去除等特点,室温下保质期长达年。该光刻胶工艺简单兼容性强,广泛应用于难附着表面高反射衬底微细图形加工玻璃低热导基板科
发布日期:2026/10/7 0:05:58
高附着力正胶它是难附着表面超薄层高精度反射衬底低温简单制程的正胶。是适用于紫外曝光的超高附着力超薄正性光刻胶,可实现超薄层图形化,具备优异基材附着力无需增粘剂高分辨率良好线宽控制反射缺口后易去除等特点,室温下保质期长达年。该光刻胶工艺简单兼容性强,广泛应用于难附着表面高反射衬底微细图形加工玻璃低热导
发布日期:2026/10/7 0:01:26
系列光刻胶应用于高精度电镀工艺的超厚膜正型光刻胶适用于和重布线的超厚膜,高分辨率,对电镀工艺高耐受性正型光特征高分辨率,高垂直性在电镀工艺中不产生膨胀与裂缝高附着性参考工艺条件前烘秒曝光线步进式曝光机接触式曝光系统显影显影液秒清洗去离子水秒后烘秒以上剥离剥离液及或氧等离子体灰化产品型号深圳市芯泰科光
发布日期:2026/10/6 21:09:43
大学研究所专超厚膜,高对比度正性光刻胶深圳市芯泰科光电有限公司产品热线许经理玖八扣扣捌零超厚膜高感光度线标准正型光刻胶,超厚膜,高对比度,高感光度正型光刻胶,适用于半导体制造及磁头制造,高对比度,高感光度,高附着性,对电镀工艺高耐受性应用于双稳微束制备工艺,小型化衍射干涉测距传感器,光纤通信中集成聚
发布日期:2026/10/6 21:05:49
系列光刻胶应用于电镀工艺的超厚膜,高分辨率线正型光刻胶超厚膜,高分辨率,高纵宽比线正型光刻胶,适用于微电镀工艺特征高分辨率,高纵宽比高附着性,对电镀工艺高耐受性多种粘度可供选择参考工艺条件前烘秒以上曝光线步进式曝光机接触式曝光系统显影显影液秒显影液秒清洗去离子水后烘秒以上剥离剥离液及或氧等离子体灰化
发布日期:2026/10/6 21:01:39
系列光刻胶应用于光罩制造及光媒介原盘制造的旋涂正型光刻胶该光刻胶是为了需要高附着性的工艺而研发,也适用于,,等光盘的制造,,特征在大尺寸玻璃称底上实现高涂布膜厚均匀性在铬称底上拥有高附着性使用安全溶剂参考工艺条件前烘秒曝光线步进式曝光机接触式曝光系统显影显影液秒清洗去离子水秒后烘秒以上剥离剥离液及或
发布日期:2026/10/6 20:57:58