AZ  P4000 系列光刻胶    

许总 1522013337零

超厚膜高感光度G线标准正型光刻胶(Ultra Thick Film High Sensitivity g-line Stard Positive-tone Photoresist)

超厚膜，高对比度，高感光度正型光刻胶，适用于半导体制造及GMR磁头制造

Ultra-thick film high contrast high speed positive-tone stard 

photoresist for semiconductor /or GMR head manufacturing processes.

特 征（FEATURES）

1) 高对比度，高感光度

2) 高附着性，对电镀工艺高耐受性

3) 多种粘度可供选择

参考工艺条件（SAMPLE PROCESS CONDITIONS）许总 1522013337零

前烘             ：100℃ 90秒以上 (DHP)

曝光             ：G线步进式曝光机/接触式曝光系统

显影             ：AZ300MIF显影液23℃ 60~300秒

清洗             ：去离子水

后烘             ：120℃ 60秒以上

剥离             ：AZ剥离液及/或氧等离子体灰化

产品型号(PRODUCT RANGE)

 Product Name:            AZ P4330    AZ P4400     AZ P4620     AZ P4903

 49mPa:                            115mPa       160mPa      400mPa      1550mPa

深圳市芯泰科光电有限公司:光电材料、微电子材料、电子元器件、半导体产品、LED...

主要客户群体：三安光电、中国中材、中谷光电、圆融光电、映瑞光电、奥伦德、中图光电、太时芯光、新广联、北方华创、量晶、享通、SINOEPI、华磊、上城、蓝晶、普吉、神光安瑞、迪源、华灿、京晶、蓝光、亁照、汉莱、士兰微北京大学、清华大学、中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所、中山大学、西安交大、南京大学、深圳大学先进院等大学研究所.

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